아이폰4S는 512MB DDR2 탑재[5]

애플의 신제품 아이폰4가 예상과 달리 DDR2 512MB RAM을 채택한 것으로 나타났다.  

▲ DDR2 512MB RAM을 채택한 아이폰4S (출처-iFixit)

모바일 기기 수리 전문 사이트 아이픽스잇(iFixit)은 새로운 아이폰4S의 분해 사진을 공개했다. iFixit은 이전에도 아이폰4 등 신형 단말기가 출시될 때마다 내부 구조를 자세히 분석한 자료를 내놓아 화제가 되곤 했는데, 아이폰4S 역시 남들보다 먼저 입수해 내부 부품을 공개했다. 

이 자료에 따르면, 신형 아이폰4S는 예상했던 것처럼 메인 프로세서로 A5 AP 를 내장했으나 RAM은 달랐다. 대부분이 1GB 메모리가 들어갔을 것으로 관측했으나 DDR2 512MB RAM이 채택된 것이다. 애플이 종전 아이폰4의 RAM을 DDR에서 DDR2로 업그레이드 하는 것 만으로도 이용에 무리가 없다고 판단히 이 같은 선택을 한 것으로 예상한다. 

이와 관련, 구매 대기자들의 의견은 호불호가 갈릴 것으로 보인다. 최근 출시된 안드로이드폰은 DDR2 1GB RAM 채택이 추세인데, 애플 신제품이 이 정도 사양을 채택했음에도 빠르게 구동될지 의심의 눈초리를 보낼 수 밖에 없다.  

배터리와 관련해서는, 아이폰4S가 종전 아이폰4보다 시간당 전력량이 0.05WHr 가량 늘었다고 아이픽스잇 측이 밝혔다. 때문에 배터리 사용 시간이 종전보다 조금 줄었다.  

한편 아이폰4S는 통신 칩으로 퀄컴의 MDM6610을 채택했다.  

미디어잇 이진 기자 miffy@it.co.kr
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