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도시바, 24nm 임베디드 NAND 플래시 메모리 발표 본문

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도시바, 24nm 임베디드 NAND 플래시 메모리 발표

dev@mndsystem 2011. 4. 11. 11:36

도시바(Toshiba)에서 24nm 공정으로 만든 임베디드 플래시 메모리를 발표했다.

도시바는 6일 보도자료를 통해 24nm 제조 공정에 ECC 기반 컨트롤러 칩을 하나의 패키지에 담은 임베디드 낸드(NAND) 플래시 메모리 'SmartNAND'를 출시한다고 밝혔다.

24nm SmartNAND는 기존의 32nm 생산 제품에 비해 컨트롤러와 내부 인터페이스의 속도를 높여 최대 읽기 속도 1.9배, 쓰기 속도는 1.5배 향상된 것으로 알려졌다. 또한 4가지 유형의 읽기 모드와 2종류의 쓰기 모드로 애플리케이션의 요구에 따라 최적의 선택이 가능하며, 동작 전류 감소 옵션으로 절전 모드도 제공한다.

24nm SmartNAND는 4GB부터 64GB 용량까지 출시될 예정이며 8GB 52pin TSOP 패키지의 샘플 출하를 시작으로 주요 제품들은 2분기부터 양산에 들어간다.

도시바는 24nm SmartNAND가 디지털 가전기기를 비롯한 각종 애플리케이션, 대용량 저장장치 등에 사용될 것으로 전망했다.

<글작성>
이수원 수석기자 / 필명 폭풍전야 /  swlee@bodnara.co.kr