하이닉스, 차세대 DDR4 D램 개발

하이닉스반도체(이하 하이닉스)에서 차세대 DDR4 D램을 개발했다고 밝혔다.

하이닉스는 4일 보도자료를 통해 국제 반도체 표준 협의기구(JEDEC) 규격을 적용한 30나노급 2기가비트(Gb) 차세대 DDR4 D램을 개발했으며, 이를 사용해 초소형 서버 등에 사용되는 2기가바이트(GB) ECC-SODIMM도 개발을 완료했다고 발표했다.

이번에 개발된 DDR4 D램은 1.2V 저전압에서 업계 최초 2400Mbps 초고속 데이터 전송속도를 구현해 기존 DDR3 1333Mbps 제품대비 처리속도가 80% 가량 향상됐다. 따라서 DDR4 D램을 사용한 ECC-SODIMM의 경우 DVD급 영화 4~5편에 해당하는 19.2GB의 데이터를 1초에 처리할 수 있다.

또한 D램의 동작온도 및 명령신호 전송상태에 따라 능동적으로 소비전류를 감소시키는 신규 회로 기술을 적용해 1.5V DDR3 D램 대비 50% 가량 전력소모가 줄어들었다.

하이닉스 마케팅본부장 김지범 전무는 "이번에 개발된 DDR4 제품은 고객이 요구하는 친환경·저전력·고성능 특성을 모두 만족시켰다"면서, "이를 통해 기존 PC 및 서버 시장은 물론 급속도로 성장하고 있는 태블릿 시장에서도 경쟁력 있는 고부가가치 솔루션을 제공할 수 있을 것"이라고 밝혔다.

하이닉스는 업계 선두 수준인 DDR4 제품 개발을 통해 차세대 기술을 확보하고 향후 DDR4 표준화를 주도한다는 방침이며, 내년 하반기부터 DDR4 D램을 양산할 계획이다.

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<글작성>
이수원 수석기자 / 필명 폭풍전야 / swlee@bodnara.co.kr